高纯度石墨坩埚的材料污染风险控制

高纯度石墨坩埚的材料污染危险控制
      杂质释放量极低：在半导体单晶硅生长中，灰分<20ppm的石墨坩埚可确保硅晶体中金属杂质含量低，满意太阳能电池级要求。
      无蒸发性污染物：高纯度石墨的蒸发分（如H2O、CO）含量低，避免在高温下污染真空或慵懒气氛。

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